FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 14 毫欧 @ 11A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
全新原装 正品现货
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