MOSFET CSD18537代理直销

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSONP-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 14 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 3.2 W

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

高度: 1 mm  

长度: 6 mm  

系列: CSD18537NQ5A  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.9 mm  

商标: Texas Instruments  

正向跨导 - 最小值: 62 S  

下降时间: 3.2 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 14.4 ns  

典型接通延迟时间: 5.8 ns

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管。