FT838MBD
辉茫微
mos
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FT838MBD
应用:充电器
功率:5V/2A
输入电压范围:90~264V
输出电压/电流:5V/2A
尺寸:45.3*36.9mm
典型效率:79%
EMI:Pass
空载待机功耗:<120mw
最大输出纹波:<80mvp-p
方案名称:FT838MBD_5V/2A
产品优势:
1. 高效率>=78.7% @115V/230V
2. 低待机功耗<120mw
3. 输出纹波噪音低<80mv
4. 内置MOS,DIP8封装,IC温升低,外围元件少,成本低
5. 在五星能效标准基础上有充足的效率余量。
电话:18320771884
联系人:曾经理 (女士)
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邮箱:2850187685@qq.com
地址:深圳市龙岗区横岗街道安良社区福坑二路十一号
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