NTD5867NL-1G
ON
TO-251
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数据列表 NTD5867NL
产品相片 DPAK_369D?01
PCN 过时产品/ EOL Multiple DevICes 05/Apr/2014
标准包装 75
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 39 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 675pF @ 25V
功率 - 最大值 36W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装 I-Pak
其它名称 NTD5867NL-1G-ND
NTD5867NL-1GOS
NTD5867NL1G
北京芯联科泰电子电子有限公司
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