数据列表 IRF9310PBF
产品相片 8-SOIC
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
设计资源 IRF9310PBF Saber Model
IRF9310PBF Spice Model
PCN 组件/产地 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
标准包装 4,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET?
包装 带卷(TR)
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 165nC @ 10V
不同 Vds 时的输入
电容(Ciss) 5250pF @ 15V
功率 - 最大值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
产品目录页面 1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRF9310TRPBFTR