IRFS4115PBF
IR
TO-263
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数据列表 | IRFS(L)4115PBF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFS4115PBF Saber Model IRFS4115PBF Spice Model |
PCN 组件/产地 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
PCN 其它 | Multiple Changes 06/Oct/2014 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET? |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 195A(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 12.1 毫欧 @ 62A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 5270pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 375W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
电话:0755-83018031
联系人:欧先生 (先生)
QQ:
邮箱:2093163753@qq.com
地址:深南中路华强电子世界三期(佳和)5C200房
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