SUM110P06-08L-E3
VISHAY
TO-263
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数据列表 | SUM110P06-08L |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET? |
包装 | 带卷(TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 110A(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 8 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 9200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.75W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | SUM110P06-08L-E3TR SUM110P0608LE3 |
电话:0755-83018031
联系人:欧先生 (先生)
QQ:
邮箱:2093163753@qq.com
地址:深南中路华强电子世界三期(佳和)5C200房
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