电源管理CSD16403Q5A TI价格 PDF资料

产品信息

制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS:RoHS 合规性豁免 详细信息
商标:Texas Instruments
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:25 V
Vgs-栅源极击穿电压 :16 V
Id-连续漏极电流:28 A
Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms
配置:Single
Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V
Qg-栅极电荷:13.3 nC
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.1 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSON-8 FET
封装:Reel
通道模式:Enhancement
下降时间:9.2 ns
正向跨导 - 最小值:91 S
最小工作温度:- 55 C
上升时间:18.3 ns
系列:CSD16403Q5A
工厂包装数量:2500
商标名:NexFET
典型关闭延迟时间:15.2 ns


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