Toshiba/东芝
2SK3878
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产品技术参数资料
金属氧化物半导体场效应晶体管或
MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。
氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为
N 型或 P 型。
典型栅极电荷@Vgs | 60 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 2200 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.8mm | |
封装类型 | TO-3PN | |
尺寸 | 15.9 x 4.8 x 19mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 150000 mW | |
最大栅源电压 | ±30 V | |
最大漏源电压 | 900 V | |
最大漏源电阻值 | 1.3 Ω | |
最大连续漏极电流 | 9 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
TOSHIBA 日本东芝TOS品牌代理:
2SA1943/ 2SC5200, 2SA1941/ 2SC5198, 2SA1015/ 2SC1815, ULN2803, TLP250, TC4584, TLP181GR, TLP181GB, TLP521, TLP621,1SS 1SV 2SA 2SB 2SC 2SD 2SJ 2SK 3SK CRG DF HN JDV RN SSM TA TAR TC TPC等系列
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