IXFN38N100Q2
IXYS
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SOT-227
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制造商零件编号:IXFN38N100Q2
描述:(HST)MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
类别:分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商:IXYS
系列:HiPerFET
包装 :管件
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V@8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):250nC@10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7200pF@25V
Vgs(最大值):±30V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):890W(Tc)
不同Id,Vgs时的Rds On(最大值):250 毫欧@19A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
安装类型:底座安装
供应商器件封装:SOT-227B
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
产品供应商:深圳市恒胜泰科技有限公司
库房长期备货:
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