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R6020ENX
ROHM
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类别 | ;">分立半导体产品 | |
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 | ||
制造商 | Rohm Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 沟道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 20A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1400pF @ 25V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 50W(Tc) | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 196 毫欧 @ 10A,10V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220FM | |
封装/外壳 | TO-220-2 整包 |
电话:0755-22914180/82568590/13380333379
联系人:朱先生/廖小姐 (先生)
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邮箱:1805036640@qq.com
地址:深圳市福田区华强北路赛格广场4709B
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