IS61WV25616BLL-10TLI
ISSI
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IS61WV25616BLL-10TLI是一个高速,262144字4194304位静态RAM组织由16位。 IS61WV25616BLL-10TLI采用ISSI公司的hgih高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程,再加上创新的电路设计技术,高性能和低功耗设备的产量。当CE为高电平时(取消选择),IS61WV25616BLL-10TLI假定功耗CMOS输入电平可降低待机模式。 参数上 IS61WV25616BLL-10TLI的大额定值:(1)相对于GND端电压:-0.5V至VDD+0.5 V;(2)VDD到GND-0.3V到4.0V(3)存储温度:-65 150℃;(4)功耗:1.0W。 特点 IS61WV25616BLL10TLI功能:(1)高速访问时间:8,10,20ns的;(2)积极低功率:为85mW;(3)低待机功耗:7MW CMOS待机;(4)单电源供电:2.4至3.6 V,(5)完全静态操作:没有时钟或刷新;(6)三态输出;(7)数据控制uppear和低字节(8)工业和汽车温度的支持;(9)无铅可用。
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