MB85RC1MTPNF-JNERE1富士通铁电1M存储器

 MB85RC1MTPNF-JNERE1是所有富士通半导体le/tag/I2C串行接口" target="_blank">I2C串行接口产品中最高内存容量的产品，全新MB85RC1MT可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期，适用于需要经常重复写入数据之应用，例如工厂自动化、测试仪器及工业设备所需之实时数据登录应用。现在富士通半导体同时拥有广泛的I2C与SPI串行接口产品系列，为客户提供最符合他们要求的非挥发性存储器产品。

FRAM是一种兼具非挥发性与随机存取功能的存储器，能在没有电源的情况下可储存及高速写入数据。值得注意的是，在众多非挥发性内存技术中，FRAM能保证一万亿次以上的写入/擦除周期。富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来，已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。

MB85RC1MT可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8V至3.3V工作电压运作，可支持3.4MHz 的“高速”操作模式，并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。MB85RC1MT保证有一万亿次写入/擦除周期，大幅超越传统EEPROM的写入/擦除周期次数，并可支持I2C接口及其他接口产品的实时数据登录等频繁的重复写入数据作业。

此外，对于一些需要使用I2C接口EEPROM应用场合，现在都可以由富士通半导体的新款FRAM产品取而代之.

MB85RC16PNF-G-JNERE1	16K bits	2K x 8	2.7 V - 3.6 V	1MHz	10/12	20年	SOP8	与FM24CL16B完全兼容
MB85RC64PNF-G-JNERE1	64K bits	8K x 8	2.7 V - 3.6 V	1MHz	10/12	20年	SOP8	与FM24CL64和FM24CL64B完全兼容
MB85RC128PNF-G-JNERE1	128K bits	16K x 8	2.7 V - 3.6 V	1MHz	10/12	20年	SOP8	与FM24V01完全兼容
MB85RC04VPNF-G-JNERE1	4K bits	512 x 8	3.0 V - 5.5 V	1MHz	10/12	20年	SOP8	与FM24C04C和FM24C04B完全兼容
MB85RC16VPNF-G-JNERE1	16K bits	2K x 8	3.0 V - 5.5 V	1MHz	10/12	20年	SOP8	与FM24C16和FM24C16B/C完全兼容
MB85RC64VPNF-G-JNERE1	64K bits	8K x 8	3.0 V - 5.5 V	1MHz	10/12	20年	SOP8	与FM24C64和FM24C64B/C完全兼容
MB85RC256VPNF-G-JNERE1	256K bits	32K x 8	3.0 V - 5.5 V	1MHz	10/12	20年	SOP8	与FM24C256完全兼容,可兼容FM24W256
MB85RC256VPF-G-JNERE2	256K bits	32K x 8	3.0 V - 5.5 V	1MHz	10/12	20年	WSOP8	与FM24C256完全兼容,可兼容FM24W256
MB85RC512TPNF-G-JNERE1	512K bits	64K x 8	1.8 V - 3.6 V	3.4MHz	10/13	20年	SOP-8	与FM24V05完全兼容
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1	1M     bits	128K x 8	1.8 V - 3.6 V	3.4MHz	10/13	20年	SOP-8	与FM24V10完全兼容
串行SPI接口铁电存贮器    SPI Interface  FRAM Memory    工业级：－40℃ ~ +85℃
产品型号	容量	存储格式	电压	读写频率	读写次数	保存时间	封装	备注
MB85RS16PNF-G-JNERE1	16K bits	2K x 8	2.7 V - 3.6 V	20Mhz	10/12	20年	SOP8/SON-8	与FM25L16B, FM25L16和FM25L04完全兼容
MB85RS64PNF-G-JNERE1	64K bits	8K x 8	2.7 V - 3.6 V	20Mhz	10/12	20年	SOP8	与FM25CL64和FM25CL64B完全兼容
MB85RS128BPNF-G-JNERE1	128K bits	16K x 8	3.0 V - 3.6 V	25Mhz	10/12	20年	SOP8	与FM25V01完全兼容
MB85RS256BPNF-G-JNERE1	256K bits	32K x 8	3.0 V - 3.6 V	25Mhz	10/12	20年	SOP8	与FM25L256、FM25V02完全兼容
MB85RS64VPNF-G-JNERE1	64K bits	8K x 8	3.0 V - 5.5 V	20Mhz	10/12	20年	SOP8	与FM25640B和FM25640C完全兼容
MB85RS512TPNF-G-JNERE1	512K bits	64K x 8	1.8 V - 3.6 V	30Mhz	10/13	20年	SOP8	与FM25V05完全兼容
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1	1M     bits	128K x 8	1.8 V - 3.6 V	30Mhz	10/13	20年	SOP-8	与FM25V10完全兼容
MB85RS2MTPNF-G-JNERE1	2M     bits	256K x 8	1.8 V - 3.6 V	25Mhz	10/13	20年	SOP-8/DIP-8	与FM25H20, FM25V20完全兼容
并行接口铁电存贮器    Parallel FRAM Memory    工业级：－40℃ ~ +85℃
产品型号	容量	存储格式	电压	读写频率	读写次数	保存时间	封装	备注
MB85R256HPF-G-BND-ERAE1	256k bits	32K x 8	2.7 V - 3.6 V	70ns	10/12	20年	WSOP28	与FM18L08和FM28V020兼容
MB85R256FPNF-G-JNERE2	256k bits	32K x 8	2.7 V - 3.6 V	70ns	10/12	20年	SOP28	与FM18L08和FM28V020完全兼容
MB85R1001PFTN-GE1	1M bits	128K x 8	3.0 V - 3.6 V	150ns	10/12	20年	TSOP48	与FM20L08和FM28V100电气性能兼容
MB85R1002APFTN-GE1	1M bits	64K x 16	3.0 V - 3.6 V	150ns	10/12	20年	TSOP48
MB85R4001APFTN-GE1	4M bits	512K x 8	3.0 V - 3.6 V	150ns	10/12	20年	TSOP48
MB85R4002APFTN-GE1	4M bits	256K x 16	3.0 V - 3.6 V	150ns	10/12	20年	TSOP48
MB85R4M2TFN-G-ASE1	4M bits	256K x 16	1.8V - 3.6 V	150ns	10/13	20年	TSOP44	与FM22L16完全兼容