NVHL025N65S3 MOSFET SUPERFET3 650V

  • 品牌:

    ON

  • 型号:

    NVHL025N65S3

  • 类别:

    直插

  • 结构:

    固定

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产品信息

ON SemIConductor NVHL025N65S3 N通道SUPERFET? III

安森美半导体NVHL025N65S3 N通道SUPERFET? III是一款易于驱动的高电压超级结 (SJ) MOSFET,采用电荷平衡技术。该SUPERFET具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。NVHL025N65S3 SUPERFET可最大限度地降低导通损耗,具有良好的开关性能,并可承受极高的dv/dt速率。该SUPERFET可控制EMI问题,并便于实施设计。典型应用包括汽车PHEV-BEV直流/直流转换器和用于PHEV-BEV的车载充电器
FEATURES
良好的开关性能
承受极高的dv/dt速率
控制EMI问题
便于实施设计
符合AEC-Q101标准
低有效输出电容
100%经雪崩测试
无铅,符合RoHS指令
SPECIFICATIONS
650V漏源击穿电压 (BVDSS)(最小值)
25mΩ最大静态漏级-源级导通电阻 (RDS(on))(10V时)
75A最大漏极电流 (ID)
236nC(典型值)低栅极电荷 (QG)
工作温度范围:-55°C至150°C
TO-247-3LD封装
应用
汽车插电式混合动力电动汽车 (PHEV)-电池电动车 (BEV) 直流/直流转换器
用于PHEV-BEV的车载充电器
NVHL025N65S3性能图
制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 75 A Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Qg-栅极电荷: 236 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 595 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 资格: AEC-Q101 商标名: SuperFET 封装: Tube 系列: SPM3 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: ON Semiconductor 正向跨导 - 最小值: 78.5 S 下降时间: 107 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 109 ns 工厂包装数量: 450 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 43.3 ns
 
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公司介绍

以诚会友,商成于信!深圳市三砖科技有限公司前身为欧美集成总代理(上海)代理,欧美集成总代理(上海)代理有着20年多年的发展历程,励精图治,在全球大环境这样一个激烈竞争的汪洋大海中脱引而出,而今创立深圳市三砖科技有限公司,顺应时代发展潮流,主营集成电路元器件,我司为国巨、风华、厚声、三星的授权代理,与国内外几大厂商联手,共同拓展中国市场,满足中国高新技术发展的需求。三砖科技有限公司也是Intel、Atmel、ADI、TI、Freescale、Maxim、Micron、NS上海代理分销商,产品主要应用于IT、通信、遥控、航空航天、控制系统、汽车、机械、卫星数等全系列产品,同时在业界几大半导体品牌( ST、ON、PHI、DS )也有很好的来货渠道;同时仓库设在交通便利的皇岗口岸和香港九龙为客户的需求提供更快捷,更便利的服务。 ‘以诚会友,商成于信’是我们的宗旨。我们将不断的追求更加卓越的企业品质,成为自动化领域里您最强大的合作伙伴。 展望未来,我司正逐步向集团化方向发展,对于人才管理我们一直在培养精英人才,适应时代需求,培养高精尖人才,研发新的商业模式,满足广大消费者的需求,成为您的集成电路贴身管家。 我司拥有独立进出口权以及国外渠道,都是欧美日原厂直接采购,在保证100%原厂正品的基础上,不仅提供给客户最优惠的价格,而且也能享受到最短的货期。我司可为客户提供从技术咨询、产品销售、技术支持到售后服务的全程服务。
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