ON SemIConductor NVHL025N65S3 N通道SUPERFET? III
安森美半导体NVHL025N65S3 N通道SUPERFET? III是一款易于驱动的高电压超级结 (SJ) MOSFET,采用电荷平衡技术。该SUPERFET具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。NVHL025N65S3 SUPERFET可最大限度地降低导通损耗,具有良好的开关性能,并可承受极高的dv/dt速率。该SUPERFET可控制EMI问题,并便于实施设计。典型应用包括汽车PHEV-BEV直流/直流转换器和用于PHEV-BEV的车载充电器。 FEATURES
良好的开关性能
承受极高的dv/dt速率
控制EMI问题
便于实施设计
符合AEC-Q101标准
100%经雪崩测试
无铅,符合RoHS指令
SPECIFICATIONS
650V漏源击穿电压 (BVDSS)(最小值)
25mΩ最大静态漏级-源级导通电阻 (RDS(on))(10V时)
75A最大漏极电流 (ID)
236nC(典型值)低栅极电荷 (QG)
工作温度范围:-55°C至150°C
TO-247-3LD封装
应用
汽车插电式混合动力电动汽车 (PHEV)-电池电动车 (BEV) 直流/直流转换器 用于PHEV-BEV的车载充电器
NVHL025N65S3性能图
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 /
箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 236 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 595 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: SuperFET
封装: Tube
系列: SPM3
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 78.5 S
下降时间: 107 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 109 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 43.3 ns