安富利IRF7478PBF晶体管 - FET 一级代理商

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产品信息

IRF7478PBF介绍:

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1740pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 4.2A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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