晶体管 SI4456DY-T1-E3 FET

  • 类型:

    分立半导体产品

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产品信息

SI4456DY-T1-E3介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 122nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5670pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),7.8W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道。
 
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