BSC0911ND介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A,30A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 12V 功率 - 最大值 1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TISON-8
在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。