晶体管 ZXMN2A14FTA MOSFET - 单

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产品信息

ZXMN2A14FTA介绍：

描述 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 20 周

详细描述表面贴装 N 沟道 20V 3.4A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 6.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 544pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。

安富微（深圳）商贸有限公司介绍，公司拥有一支“讲诚信,有耐心，重责任，细管理，强服务，善沟通，静精业务，富创意” 的销售团队.快速变化的市场环境中，我们始终秉承着“服务于客户，让利于客户”的宗旨，现已发展成为国内知名，国外驰名的IC混合型电子元器件代理商。