W20NK50介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMICroelectronics
系列 SuperMESH??
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 270 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 119nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 190W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随隅器)。