晶体管 RV2C001ZPT2L MOSFET - 单

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产品信息

RV2C001ZPT2L介绍：

描述 MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 10 周

详细描述表面贴装 P 沟道 20V 100mA（Ta） 100mW（Ta） DFN1006-3（VML1006）

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100μA

Vgs（最大值） ±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 100mW（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 DFN1006-3（VML1006）

封装/外壳 SC-101，SOT-883

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。

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