晶体管 IRFU4510PBF MOSFET

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产品信息

IRFU4510PBF介绍：

描述 MOSFET N CH 100V 56A IPAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述通孔 N 沟道 100V 56A（Tc） 143W（Tc） IPAK（TO-251）

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包装 ? 管件 ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 13.9 毫欧 @ 38A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 81nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3031pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 143W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 IPAK（TO-251）

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

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