晶体管 APT30N60BC6 半导体产品

产品信息

APT30N60BC6介绍:
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 219W(Tc) TO-247 [B]
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 MICrosemi Corporation
系列 CoolMOS??
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 125 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 960μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 88nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2267pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 219W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247 [B]
封装/外壳 TO-247-3


无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名。
 
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