晶体管 SI2369DS-T1-GE3 MOSFET

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产品信息

SI2369DS-T1-GE3介绍：

描述 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 22 周

详细描述表面贴装 P 沟道 30V 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） TO-236

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 5.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 36nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1295pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.25W（Ta），2.5W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 TO-236

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

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