晶体管 PMV48XP,215 MOSFET - 单

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产品信息

PMV48XP,215介绍：

描述 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 8 周

详细描述表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 55 毫欧 @ 2.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.25V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 510mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

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