晶体管 IRFU5305PBF MOSFET - 单

产品信息

IRFU5305PBF介绍:
描述 MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
详细描述 通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 IPAK(TO-251)
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA


沟道形成后,金氧半场效晶体管即可让电流通过,而依据施于栅极的电压值不同,可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。
 
查看更多

公司介绍

安富利(深圳)商贸有限公司介绍,公司拥有一支“讲诚信,有耐心,重责任,细管理,强服务,善沟通,静精业务,富创意” 的销售团队.快速变化的市场环境中,我们始终秉承着“服务于客户,让利于客户”的宗旨,现已发展成为国内知名,国外驰名的IC混合型(授权与非授权)电子元器件代理商。
查看更多
  • 电话:0755-82725723/0755-23941780/0755-88607867

    联系人:林小姐/陈小姐/张小姐 (女士)

    QQ:

    邮箱:3004668005@qq.com

    地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室

100%产品查看率

会员等级

会员年限