晶体管 EMF5T2R 双极 (BJT) - 阵列

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产品信息

EMF5T2R介绍：

描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

制造商标准提前期 10 周

详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6

类别分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，12V

电阻器 - 基底（R1） 47 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2） 47 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值） 500nA

频率 - 跃迁 250MHz，260MHz

功率 - 最大值 150mW

安装类型表面贴装

封装/外壳 SOT-563，SOT-666

供应商器件封装 EMT6

基本零件编号 *MF5

比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。

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