晶体管 - IGBT FS75R12KE3 半导体产品

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产品信息

FS75R12KE3介绍：

描述 IGBT MODULE 1200V 75A

制造商标准提前期 48 周

详细描述 IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 105A 350W Chassis Mount Module

类别分立半导体产品

晶体管 - IGBT - 模块

制造商 Infineon Technologies

系列 -

零件状态在售

IGBT 类型 NPT

配置三相反相器

电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V

电流 - 集电极（IC）（最大值） 105A

功率 - 最大值 350W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.15V @ 15V，75A

电流 - 集电极截止（最大值） 5mA

不同 Vce 时的输入电容（Cies） 5.3nF @ 25V

输入标准

NTC 热敏电阻是

工作温度 150°C（TJ）

安装类型底座安装

封装/外壳模块

供应商器件封装模块

基本零件编号 V24B5H200

在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。

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