W11NK100Z介绍:
描述 MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
制造商标准提前期 38 周
详细描述 通孔 N 沟道 1000V 8.3A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMICroelectronics
系列 SuperMESH??
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.38 欧姆 @ 4.15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 162nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 230W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。