晶体管 FQT5P10 MOSFET - 单

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产品信息

FQT5P10介绍：

描述 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

制造商标准提前期 32 周

详细描述表面贴装 P 沟道 100V 1A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.05 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SOT-223-4

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n-type，那么通道也会是n-type。

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