晶体管 DMP2022LSS FET-MOSFET

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产品信息

DMP2022LSS介绍：

描述 MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

制造商标准提前期 20 周

详细描述表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 56.9nC @ 10V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2444pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 8-SOP

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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