SI7141DP介绍:
描述 MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
制造商标准提前期 32 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 400nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14300pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 6.25W(Ta),104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值,例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。