FDS6930A介绍:
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
制造商标准提前期 6 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET。
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战