晶体管 SI7850DP-T1-E3 FET -MOSFET

类型：
分立半导体产品

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产品信息

SI7850DP-T1-E3介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

制造商标准提前期 33 周

详细描述表面贴装 N 沟道 60V 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 10.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 27nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK? SO-8

封装/外壳 PowerPAK? SO-8

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。

Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业, 计算机, 汽车, 消费, 电信, 军事, 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.

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安富微（深圳）商贸有限公司介绍，公司拥有一支“讲诚信,有耐心，重责任，细管理，强服务，善沟通，静精业务，富创意” 的销售团队.快速变化的市场环境中，我们始终秉承着“服务于客户，让利于客户”的宗旨，现已发展成为国内知名，国外驰名的IC混合型电子元器件代理商。