NTR1P02LT1G介绍:
描述 MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
制造商标准提前期 13 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 1.3A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 220 毫欧 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 225pF @ 5V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 400mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。