FDC653N介绍:
描述 MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
制造商标准提前期 42 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SuperSOT?-6
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
金属氧化物半导体场效应管(英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。
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