晶体管 TC6320TG 半导体产品

类型：
分立半导体产品

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产品信息

TC6320TG介绍：

描述 MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

制造商标准提前期 14 周

详细描述 N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 200V 表面贴装 8-SOIC

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Microchip Technology

系列 -

包装带卷（TR）

零件状态在售

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能标准

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 25V

功率 - 最大值 -

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC

基本零件编号 TC6320

在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。

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