晶体管 FDC645N FET-MOSFET

5000多家会员为您找货报价，SO EASY！

相关产品

产品信息

FDC645N介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6

制造商标准提前期 42 周

详细描述表面贴装 N 沟道 30V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON SemIConductor

系列 PowerTrench?

包装带卷（TR）

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 6.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 21nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1460pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SuperSOT?-6

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

理论上和实际证明，不同种类的晶体管可以在低于1伏到上千伏电压下工作，而电子管的第二电源（乙电）最低也要数伏，最高也就1000多伏，所以晶体管能被用在更广泛的电路中，使其他优势得以发挥。

ON Semiconductor 拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序，在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。

安富微（深圳）商贸有限公司介绍，公司拥有一支“讲诚信,有耐心，重责任，细管理，强服务，善沟通，静精业务，富创意” 的销售团队.快速变化的市场环境中，我们始终秉承着“服务于客户，让利于客户”的宗旨，现已发展成为国内知名，国外驰名的IC混合型电子元器件代理商。