存储器 DS1230Y-70 NVSRAM

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产品信息

DS1230Y-70介绍：

描述 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

制造商标准提前期 6 周

详细描述 NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 256Kb （32K x 8）并联 70ns 28-EDIP

类别集成电路（IC）

存储器

制造商 Maxim Integrated

系列 -

包装管件

零件状态在售

存储器类型非易失

存储器格式 NVSRAM

技术 NVSRAM（非易失性 SRAM）

存储容量 256Kb （32K x 8）

写周期时间 - 字，页 70ns

访问时间 70ns

存储器接口并联

电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V

工作温度 0°C ~ 70°C（TA）

安装类型通孔

封装/外壳 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）

供应商器件封装 28-EDIP

基本零件编号 DS1230Y

首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。

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