FDMC8026S介绍:
描述 MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
制造商标准提前期 39 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta),21A(Tc) 2.4W(Ta),36W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?,SyncFET??
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Ta),21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.4 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3165pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),36W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳 8-PowerWDFN
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
安森美半导体(ON Semiconductor)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高能效电源解决方案供应商。