晶体管 FDS9933A MOSFET - 阵列

类型：
分立半导体产品

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产品信息

FDS9933A介绍：

描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC

制造商标准提前期 26 周

详细描述 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 3.8A 900mW 表面贴装 8-SOIC

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench?

包装带卷（TR）

零件状态在售

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 75 毫欧 @ 3.8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 10V

功率 - 最大值 900mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC

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