NTD78N03T4G ON分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

产品信息

Digi-Key 零件编号 NTD78N03T4GOSTR-ND
制造商
ON SemIConductor
制造商零件编号
NTD78N03T4G
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11.4A(Ta),78A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2250pF @ 12V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta),64W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 78A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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