MOSFET单 IRF3205PBF 晶体管FET

类型：
晶体管FET

发布询价信息

5000多家会员为您找货报价，SO EASY！

相关产品

产品信息

IRF3205PBF介绍；

描述 MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述通孔 N 沟道 55V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包装 ? 管件 ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 146nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3247pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 200W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 62A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

安富利（深圳）商贸有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势！所出的物料，绝对原装正品！放心购买！

本公司为一般纳税人，可开17%增值税票！欢迎垂询！

晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器），。

公司介绍

安富利（深圳）商贸有限公司是一家大型代理渠道商，坚持为客户负责，为员工着想的经营之道，不断进行业务创新，提高销售业绩，为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力！产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域，在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。尤其在大规模可编程器件（CPLD、FPGA、PROM）、高速静态存储器（SRAM）及其它各类高档存储器（双口RAM、FIFO）等单片机嵌入式系统方面极具优势。