分立半导体产品 FDV303N 晶体管

类型：
晶体管

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产品信息

FDV303N介绍；

描述 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 42 周

详细描述表面贴装 N 沟道 25V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 680mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 2.3nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 500mA，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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1965年：摩尔定律诞生。当时，戈登·摩尔（Gordon Moore）预测，未来一个芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一倍(至今依然基本适用)，摩尔定律在Electronics Magazine杂志一篇文章中公布。 1968年7月：罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔从仙童（Fairchild）半导体公司辞职，创立了一个新的企业，即英特尔公司，英文名Intel为“集成电子设备（integrated electronics）”的缩写。 1969年：英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。

公司介绍

安富利（深圳）商贸有限公司是一家大型代理渠道商，坚持为客户负责，为员工着想的经营之道，不断进行业务创新，提高销售业绩，为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力！产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域，在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。尤其在大规模可编程器件（CPLD、FPGA、PROM）、高速静态存储器（SRAM）及其它各类高档存储器（双口RAM、FIFO）等单片机嵌入式系统方面极具优势。