分立半导体产品 PMV45EN2R 晶体管

类型：
晶体管

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产品信息

PMV45EN2R介绍；

描述 MOSFET N-CH 30V SOT23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 8 周

详细描述表面贴装 N 沟道 30V 4.1A（Ta） 510mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 6.3nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 209pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 510mW（Ta）, 5W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 42 毫欧 @ 4.1A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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公司介绍

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