晶体管L540NS FET

  • 类型:

    分立半导体产品

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产品信息

L540NS介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 74nC @ 5V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),140W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 44 毫欧 @ 18A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;其特性有:耐压高,电流大,开关特性好,但驱动电路复杂,驱动功率大;GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。
 
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公司介绍

安富利(深圳)商贸有限公司是一家大型代理渠道商,坚持为客户负责,为员工着想的经营之道,不断进行业务创新,提高销售业绩,为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力!产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域,在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。尤其在大规模可编程器件(CPLD、FPGA、PROM)、高速静态存储器(SRAM)及其它各类高档存储器(双口RAM、FIFO)等单片机嵌入式系统方面极具优势。
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    联系人:张小姐 (女士)

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