晶体管LBD59N04E FET

  • 类型:

    分立半导体产品

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产品信息

LBD59N04E介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 5V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2190pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 130W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 18 毫欧 @ 35A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-263-5
封装/外壳 TO-263-6,D2Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA

双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT)又称为半导体三极管,它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件,有PNP和NPN两种组合结构;外部引出三个极:集电极,发射极和基极,集电极从集电区引出,发射极从发射区引出,基极从基区引出(基区在中间);BJT有放大作用,重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的,为了保证这一传输过程。
 
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公司介绍

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