晶体管 RFD3055LESM9A FET

类型：
分立半导体产品

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产品信息

RFD3055LESM9A介绍：

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 38W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 107 毫欧 @ 8A，5V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 TO-252AA

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

公司介绍

安富利（深圳）商贸有限公司是一家大型代理渠道商，坚持为客户负责，为员工着想的经营之道，不断进行业务创新，提高销售业绩，为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力！产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域，在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。尤其在大规模可编程器件（CPLD、FPGA、PROM）、高速静态存储器（SRAM）及其它各类高档存储器（双口RAM、FIFO）等单片机嵌入式系统方面极具优势。