BUZ11介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 75W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 15A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作 电容器的两个极板,而 氧化物绝缘层作为电容器的介质。