晶体管 JANTXV2N6798 FET

类型：
分立半导体产品

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产品信息

JANTXV2N6798介绍：

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 MICrosemi Corporation

系列军用，MIL-PRF-19500/557

包装 ? 散装 ?

零件状态停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 42.07nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 800mW（Ta），25W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 5.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-205AF（TO-39）

封装/外壳 TO-205AF 金属罐

晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。

公司介绍

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