PT5619 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极
驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET
和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直
通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯
片工作在较低的
电源电压而对功率管产生损害,芯片内
部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压
BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在
高 dv/dt 噪声环境能稳定工作,并且使芯片具有宽范的
负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间,可以
通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的
待机模式
属性
内部集成 90V 三相半桥高边和低边驱动器
? 内置了死区时间
? 高边和低边驱动器内置欠压锁定
? 兼容 3.3V, 5V,15V 三种逻辑电平
? ENB 引脚控制进入到待机模式
? 驱动器汲出/汲入电流: 1200mA/2000mA
? 死区时间:0.5μs(typ.)
? 优秀 dv/dt 共模噪声消除电路
? 具有负瞬态电压忍受能力
? 低 di/dt 栅极驱动特性,更好的 EMI 性能
? 工作温度范围:-40℃ 至 125℃
? 小尺寸封装:TSSOP20L/24L, QFN24